QH8MA4TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A, 8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.3 mOhms, 22 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

15.5 nC, 19.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.6 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

4.4 S, 5.5 S

Tempo di caduta:

7 ns, 22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns, 16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns, 55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 10 ns

Parte # Alias:

QH8MA4

Tags

QH8MA, QH8M, QH8