CSD85312Q3E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

11.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

CSD85312Q3E

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

99 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.001129 oz

Tags

CSD85, CSD8, CSD