FDW2501N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

18 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

4.4 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

32 S

Tempo di caduta:

9.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

FDW2501N_NL

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

FDW2501N, FDW2501, FDW250, FDW25, FDW2, FDW