FDZ7064N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

BGA-18

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

13.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

4 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

92 S

Tempo di caduta:

18 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

750

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

71 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Tags

FDZ706, FDZ70, FDZ7, FDZ