MMST5086T146

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

50 mV

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500 at 100 uA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

150 at 10 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

MMST5086

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

MMST50, MMST5, MMST, MMS