SSM6N68NU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UDFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

84 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V, - 8 V

Qg - Carica cancello:

1.8 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM6N68NU

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

5.2 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Unità di peso:

0.000300 oz

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM