MMBFJ212

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

T

Tipo di transistor:

JFET

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

Canale N

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 25 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 mA

Tensione massima della porta di drenaggio:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

225 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

JFET

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.007 S to 0.012 S

Tensione di interruzione gate-source:

- 6 V

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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