NJW21194G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

250 V

Collettore-tensione di base VCBO:

400 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Corrente massima del collettore CC:

16 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NJW21194

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80

Altezza:

18.7 mm

Lunghezza:

15.6 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.8 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

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