STS4C3F60L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

STS4C3F60L

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

7.2 S

Tempo di caduta:

10 ns, 14.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns, 54 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns, 39 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns, 124 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

STS4, STS