STB10N60M2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

600 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

13.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

85 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Serie:

STB10N60M2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

13.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.8 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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