FF600R07ME4_B11

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.95 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

700 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

1800 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

6

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF600R07ME4B11BOSA1 SP000725464

Unità di peso:

12.169517 oz

Tags

FF600R07, FF600R0, FF600, FF60, FF6