UMZ7NTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TUMT-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

90 mV, - 100 mV

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

320 MHz, 260 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

UMZ7N

Guadagno di corrente CC hFE Max:

680

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

500 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

270

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

UMZ7N

Tags

UMZ7NT, UMZ7N, UMZ7, UMZ