BSS192PH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

190 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

- 200 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

0.38 S

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

72 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.7 ns

Parte # Alias:

BSS192P H6327 SP001195030

Tags

BSS192PH, BSS192P, BSS19, BSS1, BSS