2N3725A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

900 mV

Corrente massima del collettore CC:

1.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N3725

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 800 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N3725A PBFREE

Unità di peso:

0.035486 oz

Tags

2N3725, 2N372, 2N37, 2N3