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FFSP3065B-F085

FFSP3065B-F085
Mfr. #:
FFSP3065B-F085
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
Schottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
FFSP3065B-F085 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
FFSP3065B-F085 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
Diodi e raddrizzatori Schottky
RoHS:
Y
Prodotto:
Diodi Schottky al carburo di silicio
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220-2
Se - Corrente diretta:
20 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:
650 V
Vf - Tensione diretta:
1.38 V at 20 A
Ifsm - Corrente diretta in avanti:
84 A
Configurazione:
Separare
Tecnologia:
SiC
Ir - Corrente inversa:
0.5 uA
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Qualificazione:
AEC-Q101
Confezione:
Tubo
Marca:
ON Semiconductor
Pd - Dissipazione di potenza:
150 W
Tipologia di prodotto:
Diodi e raddrizzatori Schottky
Quantità confezione di fabbrica:
800
sottocategoria:
Diodi e raddrizzatori
Vr - Tensione inversa:
650 V
Tags
FFSP3, FFSP, FFS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Wide Bandgap SiC Devices
ON Semiconductor Wide Bandgap Silicon Carbide (SiC) Devices incorporate a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include the highest efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. ON Semiconductor’s SiC portfolio includes 650V and 1200V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.
650V SiC Schottky Diodes
ON Semiconductor 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high-efficiency, fast operating frequency, high-power density, low EMI, and reduced system size and cost.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
FFSP3065B-F085
DISTI # FFSP3065B-F085-ND		ON SemiconductorSIC DIODE 650V
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 800:$4.3400
FFSP3065B-F085
DISTI # FFSP3065B-F085		ON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode 650V 30A 2-Pin TO-220 Through Hole Tube - Rail/Tube (Alt: FFSP3065B-F085)
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tube		Americas - 0
  • 8000:$3.3900
  • 3200:$3.4900
  • 4800:$3.4900
  • 800:$3.5900
  • 1600:$3.5900
FFSP3065B-F085
DISTI # 863-FFSP3065B-F085		ON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
RoHS: Compliant		0
  • 800:$4.3300
  • 1600:$3.7800
Immagine Parte # Descrizione
FFSP3065B-F085

Mfr.#: FFSP3065B-F085

OMO.#: OMO-FFSP3065B-F085

 Schottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
FFSP3065A

Mfr.#: FFSP3065A

OMO.#: OMO-FFSP3065A

 Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC SBD 30A
FFSP3065A

Mfr.#: FFSP3065A

OMO.#: OMO-FFSP3065A-ON-SEMICONDUCTOR

 DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
FFSP3065B-F085

Mfr.#: FFSP3065B-F085

OMO.#: OMO-FFSP3065B-F085-1190

 SIC DIODE 650V
FFSP3065

Mfr.#: FFSP3065

OMO.#: OMO-FFSP3065-1190

 Nuovo e originale
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
800
4,33 USD
3 464,00 USD
1600
3,78 USD
6 048,00 USD
3200
3,64 USD
11 648,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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