PDTA123TM,315

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

2.2 kOhms

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Altezza:

0.47 mm

Lunghezza:

1.02 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 65 C to + 150 C

Larghezza:

0.5 mm

Marca:

Nexperia

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Tags

PDTA123TM, PDTA123T, PDTA123, PDTA12, PDTA1, PDTA, PDT