2SJ168TE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-346-3

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

2SJ168

Tipo:

MOSFET a piccolo segnale RF

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000423 oz

Tags

2SJ168T, 2SJ168, 2SJ16, 2SJ1, 2SJ