FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT
Mfr. #:
FDFME2P823ZT
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
FDFME2P823ZT Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Fairchild Semiconductor
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Bobina
Unità di peso
0.000889 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
microFET-6
Tecnologia
si
Numero di canali
2 Channel
Configurazione
Singolo con diodo Schottky
Tipo a transistor
2 P-Channel
Pd-Power-Dissipazione
1.3 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
16 ns
Ora di alzarsi
4.8 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
+/- 8 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
- 2.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
- 0.6 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
95 mOhms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
33 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
4.7 ns
Qg-Gate-Carica
5.5 nC
Transconduttanza diretta-Min
7 S
Tags
FDFME, FDFM, FDF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin MicroFET T/R
***nell
MOSFET, P CH, 20V, 2.6A, 6MICROFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Transistor Case Style:µFET; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
***rchild Semiconductor
This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable appliacrions. It features as MOSFET with low on-state resistance and an independently connected low forward voltage schottky diode for minimum condution losses. The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal performance for it's physical size and is well suited to switching and linear mode applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
FDFME2P823ZT
DISTI # FDFME2P823ZTTR-ND
ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    FDFME2P823ZT
    DISTI # FDFME2P823ZTCT-ND
    ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      FDFME2P823ZT
      DISTI # FDFME2P823ZTDKR-ND
      ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        FDFME2P823ZTFairchild Semiconductor CorporationSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        RoHS: Compliant
        40000
        • 1000:$0.2900
        • 500:$0.3100
        • 100:$0.3200
        • 25:$0.3400
        • 1:$0.3600
        FDFME2P823ZT
        DISTI # 512-FDFME2P823ZT
        ON SemiconductorMOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
        RoHS: Compliant
        0
          Immagine Parte # Descrizione
          FDFME2P823ZT

          Mfr.#: FDFME2P823ZT

          OMO.#: OMO-FDFME2P823ZT-ON-SEMICONDUCTOR

          IGBT Transistors MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
          Disponibilità
          Azione:
          Available
          Su ordine:
          1500
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          Prezzo unitario
          est. Prezzo
          1
          0,39 USD
          0,39 USD
          10
          0,37 USD
          3,70 USD
          100
          0,35 USD
          35,10 USD
          500
          0,33 USD
          165,75 USD
          1000
          0,31 USD
          312,00 USD
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