DMN21D1UDA-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X2-DFN0806-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

455 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 mOhms, 500 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

410 pC, 410 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

310 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

12 ns, 12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.4 ns, 3.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns, 24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns, 4.5 ns

Unità di peso:

0.000035 oz

Tags

DMN21D, DMN21, DMN2, DMN