IXTT6N120

IXTT6N120
Mfr. #:
IXTT6N120
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
Darlington Transistors MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXTT6N120 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
IXTT6N120
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.158733 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TO-268-2
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
300 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
18 ns
Ora di alzarsi
33 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
5 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
2.6 Ohms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
42 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
28 ns
Qg-Gate-Carica
56 nC
Transconduttanza diretta-Min
3 S
Modalità canale
Aumento
Tags
IXTT6, IXTT, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 1200 V 2.6 Ohm 300 W Power Mosfet - TO-268
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXTT6N120
DISTI # IXTT6N120-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Box
Temporarily Out of Stock
  • 30:$9.0877
IXTT6N120
DISTI # 747-IXTT6N120
IXYS CorporationMOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
RoHS: Compliant
46
  • 1:$11.5800
  • 10:$10.4300
  • 25:$8.6800
  • 50:$8.0600
  • 100:$7.8800
  • 250:$7.1900
  • 500:$6.5600
  • 1000:$6.2600
Immagine Parte # Descrizione
IXTT120N15P

Mfr.#: IXTT120N15P

OMO.#: OMO-IXTT120N15P

MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
IXTT88N30P

Mfr.#: IXTT88N30P

OMO.#: OMO-IXTT88N30P

MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTT2N170D2

Mfr.#: IXTT2N170D2

OMO.#: OMO-IXTT2N170D2

MOSFET 1700V 2A
IXTT110N10L2

Mfr.#: IXTT110N10L2

OMO.#: OMO-IXTT110N10L2

MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXTT110N10P

Mfr.#: IXTT110N10P

OMO.#: OMO-IXTT110N10P

MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
IXTT75N15

Mfr.#: IXTT75N15

OMO.#: OMO-IXTT75N15-1190

Nuovo e originale
IXTT6N120

Mfr.#: IXTT6N120

OMO.#: OMO-IXTT6N120-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
IXTT88N30P

Mfr.#: IXTT88N30P

OMO.#: OMO-IXTT88N30P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTT82N25P

Mfr.#: IXTT82N25P

OMO.#: OMO-IXTT82N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTT64N25P

Mfr.#: IXTT64N25P

OMO.#: OMO-IXTT64N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
2000
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
9,39 USD
9,39 USD
10
8,92 USD
89,21 USD
100
8,45 USD
845,10 USD
500
7,98 USD
3 990,75 USD
1000
7,51 USD
7 512,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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