IXFH20N100P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

570 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

6.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

126 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

660 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.46 mm

Lunghezza:

16.26 mm

Serie:

IXFH20N100

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Polar Power MOSFET HiPerFET

Larghezza:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

45 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

37 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

56 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXFH20N, IXFH20, IXFH2, IXFH, IXF