ZXTN25100DGQTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

120 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

175 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN25100

Guadagno di corrente CC hFE Max:

900 at 10 mA, 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 10 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

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