BSO612CV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms, 300 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

Transistor di piccolo segnale SIPMOS

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

4 S / 2 S

Tempo di caduta:

30 ns, 95 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns, 60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns, 145 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns, 15 ns

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

BSO612, BSO61, BSO6, BSO