IRGIB6B60KDPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.8 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

11 A

Pd - Dissipazione di potenza:

38 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

RC

Confezione:

Tubo

Altezza:

16 mm

Lunghezza:

10.6 mm

Larghezza:

4.8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

SP001533840

Unità di peso:

0.081130 oz

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