EM6K31GT2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

250 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.7 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

EM6K31

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

EM6K31, EM6K3, EM6K, EM6