NVTFS4C10NWFTAG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

47 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

19.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

43 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.000600 oz

Tags

NVTFS4C10, NVTFS4C1, NVTFS4C, NVTFS4, NVTFS, NVTF, NVT