CSD22205L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PICOSTAR-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.05 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

8.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Serie:

CSD22205L

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

10.4 S

Tempo di caduta:

32 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Unità di peso:

0.000032 oz

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CSD222, CSD22, CSD2, CSD