PBHV8115TLHR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

400 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

50 mV

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

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