PMBT3906M,315

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 100 uA, 1 V

Altezza:

0.47 mm

Lunghezza:

0.62 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.02 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180

Pd - Dissipazione di potenza:

260 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000031 oz

Tags

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