KSA3010RTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 2.5 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 50 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

160

Altezza:

19.9 mm

Lunghezza:

15.6 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.8 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

55

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

KSA30, KSA3, KSA