TK8Q60W,S1VQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

420 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

18.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

DTMOSIV

Altezza:

6.1 mm

Lunghezza:

6.65 mm

Serie:

TK8Q60W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.3 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

5.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

TK8Q60W, TK8Q60, TK8Q, TK8