FDD86326

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

37 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

23 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

62 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FDD86326

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

21 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FDD863, FDD86, FDD8, FDD