FCA20N60S_F109

FCA20N60S_F109
Mfr. #:
FCA20N60S_F109
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
FCA20N60S_F109 Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Fairchild Semiconductor
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
RoHS
Particolari
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Numero di canali
1 Channel
Polarità del transistor
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source
40 V
Id - Corrente di drenaggio continua
50 A
Rds On - Resistenza Drain-Source
6.5 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source
20 V
Qg - Carica del cancello
26 nC
Temperatura di esercizio massima
+ 175 C
Tecnologia
si
Confezione
Tubo
Marca
Tecnologie Infineon
Configurazione
Separare
Tempo di caduta
3.6 ns
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Pd - Dissipazione di potenza
68 W
Ora di alzarsi
2.8 ns
Serie
OptiMOS 3
Nome depositato
OptiMOS
Tipo di transistor
1 N-Channel
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
17 nS
Parte # Alias
IPP065N04NGXKSA1 SP000648268
Unità di peso
0.211644 oz
Tags
FCA20N60S, FCA20N, FCA20, FCA2, FCA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
***i-Key
MOSFET N-CH 650V TO-3PN
***ark
Rail/650V, Super Fet
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
FCA20N60S-F109
DISTI # 512-FCA20N60S_F109
ON SemiconductorMOSFET 650V, SUPER FET
RoHS: Compliant
0
    Immagine Parte # Descrizione
    FCA20N60F

    Mfr.#: FCA20N60F

    OMO.#: OMO-FCA20N60F

    MOSFET 600V N-CH FRFET
    FCA20N60

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    OMO.#: OMO-FCA20N60-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
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    Nuovo e originale
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    FCA20N60F

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    MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
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    FCA20N60_F109

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    IGBT Transistors MOSFET 600V N-CH MOSFET
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