CJ3139KDW-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Tecnologia Comchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

660 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

520 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Tecnologia Comchip

Transconduttanza diretta - Min:

0.8 S

Tempo di caduta:

20.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

CJ3139, CJ313, CJ31, CJ3